特許

J-GLOBAL ID：200903098059048827

マイクロエレクトロニクス用ウエハの化学処理装置及び方法

発明者： ラミュール、ジャン・ミシェール
出願人/特許権者： エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース
代理人 (1件)： 佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-536096
公開番号（公開出願番号）：特表2002-507056
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 2002年03月05日
要約：

【要約】本発明は、マイクロエレクトロニクス用基板として用いられる材料からなる複数枚のウエハ(1)を処理するための装置に関し、この装置は処理浴(21)を収容可能で且つ少なくとも1枚の第1寸法のウエハ(2)を支承可能な支持手段(22)を備えた処理槽(20)と、第1寸法のウエハを掴んで処理槽内へ取り込み或いは処理槽外へ取り出す保持手段(27)とを備えている。本発明は、少なくとも1枚の第1寸法よりも小さな第2寸法のウエハ(1)を支持可能な支持体(10)を更に備え、この支持体は、前記保持手段(27)により把持可能で且つ処理槽(20)の支持手段(22)上に載置可能な寸法形状を有している点に特徴を有する。

請求項（抜粋）：

マイクロエレクトロニクス用基板として用いられる材料からなる複数枚のウエハ(1)を処理するための装置であって、 処理浴(21)を収容可能で、且つ少なくとも1枚の第1寸法のウエハ(2)を支承可能な支持手段(22)を備えた処理槽(20)と、 第1寸法のウエハを掴んで処理槽内へ取り込み或いは処理槽外へ取り出す保持手段(27)とを備えたものにおいて、 少なくとも1枚の第1寸法よりも小さな第2寸法のウエハ(1)を支持可能な支持体(10)を更に備え、該支持体が前記保持手段(27)により直接把持可能で且つ処理槽(20)の支持手段(22)上に載置可能な寸法形状を有することを特徴とするウエハ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/304 648 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/304 648 B ,  H01L 21/304 648 D ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/306 K

Fターム (13件)：

5F031CA02 ,  5F031DA01 ,  5F031FA01 ,  5F031FA03 ,  5F031FA09 ,  5F031GA02 ,  5F031HA72 ,  5F031MA23 ,  5F031PA16 ,  5F043AA01 ,  5F043EE01 ,  5F043EE35 ,  5F043EE36