特許

J-GLOBAL ID：200903098060921534

薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法、および薄膜トランジスタアレイ、および表示装置、およびセンサー装置

発明者： 小森 一徳
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-357692
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123438
出願日： 2003年10月17日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】プロセス耐性の弱い有機薄膜トランジスタをダメージなく形成すること。【解決手段】基板上に、ゲート電極とゲート絶縁膜と半導体層とソース電極とドレイン電極と、走査線と信号線とが形成されており、低抵抗が要求される信号線をまず金属薄膜とフォトリソグラフィとエッチングにより形成し、次の有機半導体形成工程の後は、有機導電性材料と印刷工法等を用いて有機半導体層にダメージを与えることなく、トランジスタを形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも、基板上に、ゲート電極とゲート絶縁膜と半導体層とソース電極とドレイン電極と、走査線と信号線とが形成されており、前記ソース電極と前記信号線は、電気的には接続されているが異なる材料で形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (10件)：

H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L27/146 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L51/00

FI (13件)：

H01L29/78 612C ,  G02F1/1368 ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L21/88 M ,  H01L21/88 Z ,  H01L27/14 C

Fターム (72件)：

2H092GA11 ,  2H092GA31 ,  2H092GA60 ,  2H092HA15 ,  2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092KA09 ,  2H092KA13 ,  2H092KA20 ,  2H092KA23 ,  2H092KB06 ,  2H092NA11 ,  2H092NA21 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  2H092RA10 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD51 ,  4M104DD61 ,  4M104EE03 ,  4M104EE18 ,  4M104GG09 ,  4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CB05 ,  4M118EA01 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB20 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033JJ00 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK00 ,  5F033KK07 ,  5F033PP19 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ37 ,  5F033UU04 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD11 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE37 ,  5F110EE38 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HL01 ,  5F110HM12 ,  5F110HM17 ,  5F110HM19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開昭61-121034号公報(第4-5頁、図2、図7)