特許

J-GLOBAL ID：200903098063663110

多層Al配線のエッチング方法

発明者： 三谷 克彦 ,  佐藤 仁昭
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-062492
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260351
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】従来のBCl3/Cl2系エッチングガスでは、TiN膜合金とレジスト膜の選択比は1〜2と低い。従って、TiN/Al-Cu合金/TiN多層配線をエッチングするときのレジスト膜厚はTiN膜のエッチング中に顕著に低減する課題が有る。【解決手段】半導体基板100上に堆積した絶縁膜101,TiNバリア層102,Al-Cu合金層103,及びTiNキャップ層104よりなる多層Al配線のエッチングにおいて,TiNバリア層102及びTiNキャップ層104をエッチングするとき、BCl3/Cl2ガスと希ガスを用いてエッチングする。その際のガス流量比は、[BCl3+希ガス]/Cl2比が0.2〜0.5の範囲にあり,希ガス/[BCl3+希ガス]比が0.2〜0.8の範囲に設定する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に積層された第1のTiN膜,Al-Cu合金膜,及び第2のTiN膜を含む多層Al配線をエッチングする工程において,塩素系ガス及び一種類以上の希ガスの混合ガスにより第1のTiN膜及び第2のTiN膜をエッチングする工程を含むことを特徴とする多層Al配線のエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/302 G ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 N