特許

J-GLOBAL ID：200903098066101598

イオンプレーティング装置

発明者： 梅田 俊郎 ,  笹川 孝市 ,  川又 克英
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-053325
公開番号（公開出願番号）：特開平6-264227
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月20日
要約：

【要約】【目的】 膜製造(成膜)時の効率を向上させる。【構成】 プラズマ23を発生させるプラズマ生成手段30、基板13を支持する基板支持手段14、蒸発物を支持する蒸発物るつぼ10、および前記蒸発物と基板13との間に電圧を印加する電圧印加手段19とを有するイオンプレーティング装置において、前記蒸発物の近傍に不活性ガスを放出する不活性ガス供給手段24を設けた。

請求項（抜粋）：

プラズマを発生させるプラズマ生成手段、基板を支持する基板支持手段、蒸発物を支持する凹部を複数有する蒸発物るつぼ、該るつぼの所定の凹部にのみ前記プラズマか照射されるように該るつぼ上部に設置された遮蔽手段、前記蒸発物と基板との間に電圧を印加する電圧印加手段、前記基板支持手段と蒸発物るつぼを所定の真空空間に包含するための真空容器、該真空容器内を所定の真空度に設定するための排気手段および前記蒸発物るつぼの近傍に配置された磁界発生手段を有するイオンプレーティング装置において、前記蒸発物の近傍に不活性ガスを放出する手段を設けたことを特徴とするイオンプレーティング装置。