特許

J-GLOBAL ID：200903098066336145

半導体装置の製造方法

発明者： 野崎 秀俊 ,  佐久間 尚志
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-235424
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082646
出願日： 1995年09月13日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】凹凸を有する基板上にプラズマCVD法で形成されたアモルファスシリコンカーバイト膜およびアモルファスシリコン膜を含む半導体装置のリーク電流減少させ、薄膜内の欠陥密度を減らす半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】固体撮像素子チップ41と画素電極41とによる凹凸基板の上に、プラズマCVD法によって60nm/minの成膜速度でp型アモルファスシリコンカーバイト43を積層し、またその上にプラズマCVD法によって80nm/minの成膜速度でアモルファスシリコン44を積層し、またその上にプラズマCVD法によって60nm/minの成膜速度でアモルファスシリコンカーバイト45を積層し、最後にその上に透明電極を積層することによって積層型固体撮像装置を作成した。

請求項（抜粋）：

凹凸を有する基板上に、プラズマCVD法によって成膜速度が40nm/min以上の成膜条件でアモルファスシリコンカーバイト膜を成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 31/04

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/88 K ,  H01L 31/04 V

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-051617
  
• 特開平2-184082
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-183756   出願人：株式会社東芝