特許
J-GLOBAL ID：200903098066857781
半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-079733
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275079
出願日： 1996年04月02日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：
【要約】【課題】 傷などを発生させることなくイオンまたは電子の照射時の半導体ウエハへの帯電を確実に防止する。【解決手段】 イオン注入装置に設けられたプラテン8は、静電クランプする半導体ウエハWよりも外周が少し小さい円形状の絶縁部10と、絶縁部10の外周部に設けられたアルミニウムなどの中空円柱形状の放電リング12とにより構成され、放電リング12は半導体ウエハWの外周部よりも1mm〜3mm程度大きい肉厚となっている。放電リング12は電気的に接地アースされ、放電リング12の端面と絶縁部10の表面は同一となっている。イオン注入時、照射されたイオンが持つ電荷PDは半導体ウエハWの主面から放電リング12に放電し、半導体ウエハW主面の帯電を防止する。
請求項（抜粋）：
イオンまたは電子を半導体ウエハに照射することにより、所定の処理を行う半導体製造装置であって、前記半導体ウエハに所定の処理を行う処理室に設けられ、前記半導体ウエハよりも小さい外周よりなり、前記半導体ウエハを保持する円柱状のウエハ保持部と、前記ウエハ保持部の周縁部に前記半導体ウエハと接触して設けられ、少なくとも一部が前記半導体ウエハの周縁部から半径方向に突出して前記半導体ウエハに帯電する電荷を放電させる導電性材料よりなる電荷放電手段とにより構成される載置手段を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/265
, H01J 37/20
, H01J 37/317
H01L 21/265 N
, H01J 37/20 G
, H01J 37/317 B
