特許
J-GLOBAL ID:200903098070074996

液相エピタキシャル成長装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-069402
公開番号(公開出願番号):特開平7-277881
出願日: 1994年04月07日
公開日(公表日): 1995年10月24日
要約:
【要約】【目的】磁性ガーネット単結晶膜等の酸化物単結晶膜を育成するときに、原料溶液中への自然核の形成を抑えて、結晶性のよい酸化物単結晶膜を得ることができるエピタキシャル成長装置を提供する。【構成】外側に高周波加熱源11を有する電気絶縁性の炉芯管1と、この炉芯管内に配置した上下開放の電気伝導性の円筒体12と、この円筒体の内側に配置した坩堝6とを備える。
請求項(抜粋):
外側に高周波加熱源を有する電気絶縁性の炉芯管と、該炉芯管内に配置した上下開放の電気伝導性の円筒体と、該円筒体の内側に配置した坩堝とを、備えたことを特徴とする酸化物単結晶膜育成用の液相エピタキシャル成長装置。
IPC (2件):
C30B 19/06 ,  C30B 29/28

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