特許

J-GLOBAL ID：200903098079566190

磁気センサ素子の製造方法

発明者： 上埜 修司 ,  武士田 健一 ,  藤本 勝幸
出願人/特許権者： ユニチカ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015457
公開番号（公開出願番号）：特開2000-214240
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 安定した特性を示す磁気センサ素子を容易に製造することができる磁気センサ素子の製造方法を提供する。【解決手段】 次の3工程からなる磁気センサ素子の製造方法。(1)磁性体に導線を巻線してインダクタ素子4を形成させる工程、(2)形成させたインダクタ素子4の巻線端子5を樹脂製容器1に設置されている導体金属2に接合させた後樹脂製容器1に挿入させる工程、又は形成させたインダクタ素子4を樹脂製容器1に挿入させた後巻線端子5を樹脂製容器1に設置されている導体金属2に接合させる工程、(3)前記(2)の工程後に樹脂製容器1を密閉させる工程。

請求項（抜粋）：

次の3工程からなる磁気センサ素子の製造方法。(1)磁性体に導線を巻線してインダクタ素子を形成させる工程、(2)形成させたインダクタ素子の巻線端子を樹脂製容器に設置されている導体金属に接合させた後樹脂製容器に挿入させる工程、又は形成させたインダクタ素子を樹脂製容器に挿入させた後巻線端子を樹脂製容器に設置されている導体金属に接合させる工程、(3)前記(2)の工程後に樹脂製容器を密閉させる工程。

Fターム (4件)：

2G017AB05 ,  2G017AC06 ,  2G017AD04 ,  2G017AD05