特許

J-GLOBAL ID：200903098085998230

トンネル磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置

発明者： 島沢 幸司 ,  笠原 寛顕 ,  荒木 悟
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 阿部 美次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-077309
公開番号（公開出願番号）：特開2001-266313
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】高精度の読み取りトラック幅を有し超高密度記録に適用できTMR素子を提供する。【解決手段】強磁性トンネル効果膜1は、トンネルバリア層11がフリー層12とピンド層13とによって挟まれた構造を有する。バイアス磁界誘導層21は、フリー層12にバイアス磁界を印加するものであって、バイアス磁界の方向F1で見た幅が強磁性トンネル効果膜1の幅よりも大きい。フラックスガイド層22はバイアス磁界誘導層21と積層されるとともに、フリー層12に磁気的に結合され、一端がフラックスプローブ部221を構成する。フラックスプローブ部221はその幅がバイアス磁界誘導層21の幅よりも狭く、バイアス磁界誘導層21から突出している。

請求項（抜粋）：

強磁性トンネル効果膜と、バイアス磁界誘導層と、フラックスガイド層とを含むトンネル磁気抵抗効果素子であって、前記強磁性トンネル効果膜は、トンネルバリア層と、フリー層と、ピンド層とを含み、前記トンネルバリア層が前記フリー層と前記ピンド層とによって挟まれており、前記バイアス磁界誘導層は、前記フリー層にバイアス磁界を印加するものであって、バイアス磁界の方向で見た幅が前記強磁性トンネル効果膜の幅よりも大きくなっており、前記フラックスガイド層は、前記バイアス磁界誘導層のバイアス磁界の方向と交差するようにして、前記バイアス磁界誘導層と積層されるとともに、前記フリー層に磁気的に結合され、一端がフラックスプローブ部を構成し、前記フラックスプローブ部はその幅が前記バイアス磁界誘導層の幅よりも狭く、前記バイアス磁界誘導層から突出しているトンネル磁気抵抗効果素子。

Fターム (8件)：

5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034BB09 ,  5D034BB12 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07