特許

J-GLOBAL ID：200903098089100971

半導体装置

発明者： 桐畑 文明
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315691
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152574
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】絶縁ゲート型バイポーラトランジスタに個別素子のフライホィーリングダイオードを接続すると、高電力密度化が難しく、また接続導線のインダクタンスのために高速化も困難である欠点を解消する。【構成】一つの半導体基体にIGBTとFWDを形成して高電力密度化をはかり、IGBTのエミッタ電極とFWDの主電極を一体化することによりインダクタンスを低減する。また両者の間に非干渉領域を設けることにより、ダイオードの逆回復時の干渉効果によってIGBTがラッチアップするのを防ぐ。

請求項（抜粋）：

第一導電型で低不純物濃度の半導体基体の一側の表面層に、さらにその表面層に第一導電型で高不純物濃度の第二領域を有する第二導電型の第一領域と、第二導電型で高不純物濃度の第三領域とが形成され、その半導体基体本来の領域の露出面と第二領域とにはさまれた第一領域の表面上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられ、その半導体基体の他側の表面層に第一領域に対向して第二導電型の第四領域、第三領域に対向して第四領域に隣接する第一導電型で高不純物濃度の第五領域が形成され、第一領域と第二領域とに共通に第一電極、第二領域に第二電極がそれぞれ接触して互いに接続され、第四領域、第五領域に共通に第三電極が接触することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/91

FI (4件)：

H01L 29/78 321 J ,  H01L 27/06 101 D ,  H01L 29/78 321 K ,  H01L 29/91 L

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-015370
  
• 特開昭64-080077
  
• 特開昭60-010781
  
• 特開昭64-059959