オプトーデを基礎とするオプトエレクトロニックガスセンサ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-564031
公開番号（公開出願番号）：特表2002-522762
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2002年07月23日
要約：

【要約】本発明は、半導体基板(1)内又は上に互いに分離されて複数の感光性素子(2)及びそれらの間の中心に位置する光放射器(3)が集積されている形式のオプトーデを基礎とするオプトエレクトロニックガスセンサに関し、該ガスセンサは、感光性素子(2)が基板(1)内の1つの平面内に位置しかつ光を横方向に放出する、光放射器(3)の側面放出領域(4)と共にオプトーデ材料の部分によって覆われており、該オプトーデ材料の厚さ及び屈折率は、放出領域(4)から横方向に放出される光がオプトーデ材料内での全反射によりあらゆる透過分枝(a〜d)内を感光性素子(2)に向かって導かれるように選択されていることを特徴とする。このようなオプトーデを基礎とするチップ状ガスセンサは、極めて小さく、例えば2×2mmの面積及び250μmの厚さで実現することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)内又は上に互いに分離された複数の感光性素子(2)及びそれらの間の中心に位置する光放射器(3)が集積されている形式のオプトーデを基礎とするオプトエレクトロニックガスセンサにおいて、感光性素子(2)が基板(1)内の1つの平面内に位置しかつ光を横方向に放出する、光放射器(3)の側面放出領域(4)と共にオプトーデ材料の部分によって覆われており、該オプトーデ材料の厚さ及び屈折率は、放出領域(4)から横方向に放出される光がオプトーデ材料内での全反射によりあらゆる透過分枝(a〜d)内を感光性素子(2)に向かって導かれるように選択されていることを特徴とする、オプトーデを基礎とするオプトエレクトロニックガスセンサ。

IPC (2件)：

G01N 21/78 , G01N 31/22 121

FI (2件)：

G01N 21/78 Z , G01N 31/22 121 C

Fターム (25件)：

2G042AA01 , 2G042CA01 , 2G042CB01 , 2G042DA09 , 2G042FA11 , 2G042FB05 , 2G042FC01 , 2G042HA02 , 2G042HA07 , 2G054AA01 , 2G054BB06 , 2G054CD04 , 2G054CE01 , 2G054EA04 , 2G054EA05 , 2G054EB05 , 2G054FA01 , 2G054FA20 , 2G054FA22 , 2G054FA27 , 2G054FA29 , 2G054FA31 , 2G054FA33 , 2G054FA34 , 2G054JA08

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