特許

J-GLOBAL ID：200903098093945579

アルケニルホスフィンオキシド化合物の製造法

発明者： 田中 正人 ,  韓 立彪
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院物質工学工業技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-050068
公開番号（公開出願番号）：特開平9-241276
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1997年09月16日
要約：

【要約】【課題】 第2級ホスフィンオキシドを出発原料に用いる、アルケニルホスフィンオキシドを位置選択性よく製造する方法を提供する。【解決手段】 パラジウム錯体触媒の存在下、アセチレン化合物に第2級ホスフィンオキシドを反応させるに際し、一般式【化3】(式中、R4はアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基またはアリール基を示す)で表されるホスフィン酸を存在させることを特徴とするアルケニルホスフィンオキシド化合物の製造法。

請求項（抜粋）：

パラジウム錯体触媒の存在下に、一般式【化1】(式中、R1およびR2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリル基の中から選ばれる1価の基を示す)で表されるアセチレン化合物に、一般式【化2】(式中、R3はアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基またはアリール基を示す)で表される第2級ホスフィンオキシドを反応させるに際し、一般式【化3】(式中、R4はアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基またはアリール基を示す)で表されるホスフィン酸を存在させることを特徴とする一般式【化4】(式中、R1、R2およびR3は、前記と同じ意味を有する)で表されるアルケニルホスフィンオキシド化合物の製造法。