特許

J-GLOBAL ID：200903098096249719

半導体装置

発明者： 真光 邦明
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-251554
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068959
出願日： 2001年08月22日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造工程において、半導体素子にかかる引っ張り応力を低減して、半導体素子にクラックや割れが発生することを極力防止する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、放熱板の上に半導体素子12を半田付けして成るものにおいて、半導体素子12の上面のうちの少なくとも外周部に金属製の電極19を形成するように構成したものである。この構成の場合、半導体素子の上面外周部の電極19の熱膨張係数が半導体チップ12の熱膨張係数よりも大きいことから、電極19が半導体チップ12よりも収縮し、半導体素子12に圧縮応力が残るようになる。この状態で、半導体素子12に引っ張り応力が作用すると、残留圧縮応力と引っ張り応力が相殺するので、半導体素子12が耐えられる引っ張り応力が残留圧縮応力の分だけ強くなる。

請求項（抜粋）：

放熱板の上に半導体素子を半田付けして成る半導体装置において、前記半導体素子の上面のうちの少なくとも外周部に金属製の電極を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/48 ,  H01L 23/40 ,  H01L 29/40

FI (3件)：

H01L 23/48 G ,  H01L 23/40 F ,  H01L 29/40 Z

Fターム (6件)：

4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  5F036BE06