特許
J-GLOBAL ID：200903098101945877
半導体製造装置の評価装置およびその評価方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-089590
公開番号（公開出願番号）：特開平6-034587
出願日： 1992年03月14日
公開日（公表日）： 1994年02月08日
要約：
【要約】【目的】 露光装置に装着したフォトマスクを通してフォトレジストを露光することにより半導体基板に導電膜を形成し、その抵抗値を測定して、露光装置の特性を評価する半導体製造装置の評価装置及びその評価方法を提供する。【構成】 このフォトマスクは、ステッパ-などの露光装置に用いられる。図1は、露光エリア32内に投影されたレチクルのマスクパタ-ンを示している。マスクパタ-ンは、パタ-ン形状の等しい複数のブロック(サブチップ)31からなり、各ブロック31は、複数の抵抗測定パタ-ン及び必要に応じてシ-ト抵抗測定パタ-ンを備えている。このブロック31をレチクル内に配置し、各ブロック31の抵抗変化を比較して露光装置のレンズを評価する。
請求項（抜粋）：
露光装置と、この露光装置に装填され、複数の抵抗測定パタ-ンを含み、互いに同じ形状のパタ-ンを備えている抵抗測定パタ-ンブロックを複数個有するマスクパタ-ンを保持するレティクルとを具備していることを特徴とする半導体製造装置の評価装置。
IPC (4件)：
G01N 27/04
, G01R 1/067
, G03F 7/207
, H01L 21/027
