特許
J-GLOBAL ID：200903098102464627
電力増幅器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-182839
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036670
出願日： 1995年07月19日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【目的】非直線歪みの抑制と消費電力の低減を図る事ができる電力増幅器を提供する。【構成】 パルスドープ型GaAs電界効果トランジスタ Qのソースがグランド端子に接続され、そのゲートにコイルL1 とコンデンサC1 から成るインピーダンス整合回路Ain、そのドレインにコイルL2 とコンデンサC2 から成るインピーダンス整合回路Aout が夫々接続され、AB級の増幅動作を行うように直流バイアス(動作点)が設定されている。そして、入力接点に供給される入力信号を電力増幅して出力接点へ出力する。
請求項（抜粋）：
高不純物濃度で薄厚のチャネル層と前記チャネル層に積層されたキャップ層を有すると共に、前記キャップ層には、表面空乏層によって空乏化され且つ前記表面空乏層が前記チャネル層に達するのを阻止する厚さ及び所定不純物濃度に設定さたドーピング層が形成され、更に前記キャップ層及びチャネル層の両端に注入層が形成され、前記各注入層にソースとドレイン、前記キャップ層上にゲートが形成されて成るパルスドープ型ガリウム砒素電界効果トランジスタと、前記パルスドープ型ガリウム砒素電界効果トランジスタの前記ゲートソース間と前記ドレインソース間に接続され、前記パルスドープ型ガリウム砒素電界効果トランジスタの非直線歪みに対して電力付加効率が最大となるときの出力インピーダンスに整合するインピーダンス整合回路と、を具備することを特徴とする電力増幅器。
IPC (4件)：
H03F 3/16
, H01P 5/02
, H03F 1/08
, H03F 3/21
H03F 3/16 Z
, H01P 5/02 A
, H03F 1/08
, H03F 3/21
