特許
J-GLOBAL ID：200903098105382826
酸化物薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-042749
公開番号（公開出願番号）：特開平6-256937
出願日： 1993年03月03日
公開日（公表日）： 1994年09月13日
要約：
【要約】【目的】 薄膜形成による基板表面の温度上昇を抑えると共に、基板表面に高硬度を有する酸化物薄膜を形成する。【構成】 真空チャンバ8と、酸素ガスを供給する反応ガス導入口13と、アーク放電プラズマ流9を発生させる圧力勾配型プラズマガン1と、金属材料が充填されていると共に、前記アーク放電プラズマ流9が集中するように圧力勾配型プラズマガン1との間にアーク放電を形成するハース5と、前記アーク放電プラズマ流9内に設けられた基板16と、該基板16を前記アーク放電プラズマ流9より負の電位に保つ電源18と、を有し、前記基板16上に前記金属材料原子、及び酸素を成分とする酸化物薄膜を形成する方法であって、前記電源18の電圧を150V乃至600Vに設定して、前記基板16上に酸化物薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
真空チャンバと、該真空チャンバ内に酸素ガスを供給する反応ガス導入口と、前記真空チャンバ内にアーク放電プラズマ流を発生させる圧力勾配型プラズマガンと、金属材料が充填されていると共に、前記圧力勾配型プラズマガンから発生したアーク放電プラズマ流が集中するように、該圧力勾配型プラズマガンとの間にアーク放電を形成するハースと、前記圧力勾配型プラズマガンから発生したアーク放電プラズマ流内に設けられた基板と、該基板を前記アーク放電プラズマ流より負の電位に保つ電源と、を有し、前記基板上に前記金属材料原子、及び酸素を成分とする酸化物薄膜を形成する方法であって、前記電源の電圧を150V乃至600Vに設定して、前記基板上に酸化物薄膜を形成することを特徴とする酸化物薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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