特許

J-GLOBAL ID：200903098107827450

アニール中制御された低レベル酸素周囲を使用して半導体ウエーハに浅部ジャンクションを形成する方法

発明者： ダウンニー,ダニエル・エフ
出願人/特許権者： バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 竹内 澄夫 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-529749
公開番号（公開出願番号）：特表2002-502124
出願日： 1999年01月21日
公開日（公表日）： 2002年01月22日
要約：

【要約】【解決手段】 ドープ剤が注入された半導体ウエーハに浅部ジャンクションを形成する方法を提供する。ドープ剤は,熱処理チェンバー内において,半導体ウエーハを,選択された時間,選択された温度で熱処理することにより活性化される。ドープ剤の活性化中,熱処理チェンバー内の酸素濃度は,熱処理チェンバーがプロセスガスで満たされるとき,典型的に存在するバックグランドのレベルよりも低い,選択されたレベルまたはその付近に制御される。酸素濃度は,1000ppmよりも低い範囲の,選択されたレベルまたはその付近に制御され,好適には,約30-300ppmの範囲の,選択されたレベルまたはその付近に制御される。本方法はとくに,ホウ素またはBF2イオンの注入のために有用であるが,他のドープ剤に対しても使用することができる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエーハに浅部ジャンクションを形成する方法であって, ドープ剤を半導体ウエーハに注入する工程と, 熱処理チェンバーにおいて,選択された時間,選択された温度で,半導体ウエーハを熱処理することにより,前記ドープ剤を活性化する工程と, ドープ剤を活性化する工程の間,熱処理チェンバーの酸素濃度を,熱処理チェンバーがプロセスガスで満たされるときに,典型的に存在するバックグランドレベルより低いレベルまたはその付近に,制御する工程と,を含む浅部ジャンクションを形成する方法。