特許

J-GLOBAL ID：200903098110825248

半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

発明者： 堀 勝 ,  矢野 博之 ,  堀岡 啓治 ,  岡野 晴雄 ,  神保 定之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-004198
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090223
出願日： 1992年01月13日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 被処理体にダメージを与えることなく、レジスト膜を炭素膜に対して高速且高選択比を持ってエッチングする。【構成】 炭素膜上にレジストパターンを形成した後、レジストパターンをマスクとして、炭素膜をエッチングし、パターニングする。その後、ハロゲン元素を含む活性種と酸素元素を含む活性種との混合ガスを用いて、レジストパターンを炭素膜パターンに対して高速でしかも高選択比にてエッチングする。

請求項（抜粋）：

被処理基体上に炭素膜を被着する工程と、前記炭素膜上に有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パターンに沿って前記炭素膜をエッチングして炭素膜パターンを形成する工程と、酸素原子を含む活性種を含むエッチングガスにより、又は前記被処理基体を加熱すると共に、酸素原子を含む活性種を含むエッチングガスにより、前記有機膜パターンをガスエッチングして選択除去する工程とを包含することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭64-032632
  
• 特開平1-198489
  
• 特開昭63-102232
  
• 特開平3-001530
  
• 特開昭62-202521