特許
J-GLOBAL ID:200903098116263560
半導体用高熱伝導性セラミックスパッケージ
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
越場 隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-165903
公開番号(公開出願番号):特開平7-099268
出願日: 1994年06月24日
公開日(公表日): 1995年04月11日
要約:
【要約】【構成】 上面に半導体素子4を搭載したAlNまたはBeOの基板1と、基板1の下面に接合された基板1と同寸のCu板2と、それらを搭載するCu-W合金の金属部材3とを備える。基板1の下面でなく、逆に基板1の上面にCu板2が接合されていても、基板1の両面にCu板2が接合されていてもよい。また、金属部材3は、Cu板2が接合された基板1の厚さに対応して、基板搭載部分が薄くされていてもよい。【効果】 熱抵抗が従来のセラミックスパッケージよりも小さく、低コストで製造できる。
請求項(抜粋):
半導体素子を搭載するAlNまたはBeOのセラミックス基板と、前記セラミックス基板の半導体素子を搭載する側とは反対側の面に接合され、前記セラミックス基板の厚さ以上の厚さを有するCuまたはCuを主とする合金の金属板とを含むことを特徴とする半導体用高熱伝導性セラミックスパッケージ。
IPC (5件):
H01L 23/12 301
, C04B 37/02
, H01L 23/12
, H01L 23/14
, H01L 23/373
FI (2件):
引用特許:
出願人引用 (3件)
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特開平1-086538
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-318550
出願人:株式会社東芝
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特開昭63-254751
審査官引用 (3件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-318550
出願人:株式会社東芝
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特開平1-086538
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特開昭63-254751
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