特許
J-GLOBAL ID：200903098117636190
基板の表面加工方法及び太陽電池
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-113555
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309276
出願日： 2002年04月16日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：
【要約】【課題】 低コストな多結晶シリコン基板を用いる太陽電池セルの製造工程において、低コストかつ高性能な表面反射防止構造の基板表面の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 エッチング液に対する耐エッチング力が膜内で分布をもつ耐エッチング膜を基板表面に形成し、耐エッチング膜を介してエッチングすることで基板表面に凹凸を形成することを特徴とする基板の表面加工方法により上記課題を解決する。
請求項（抜粋）：
エッチング液に対する耐エッチング力が膜内で分布をもつ耐エッチング膜を基板表面に形成し、耐エッチング膜を介してエッチングすることで基板表面に凹凸を形成することを特徴とする基板の表面加工方法。
Fターム (7件)：
5F051AA03
, 5F051CB21
, 5F051DA03
, 5F051GA04
, 5F051GA15
, 5F051GA16
, 5F051HA01
