特許
J-GLOBAL ID：200903098118861812
イオン注入装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-126976
公開番号（公開出願番号）：特開平6-060844
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】半導体基板へ不純物イオンを注入する場合、半導体基板外周部からの金属による汚染を低減するとともに、半導体基板への均一な注入を行なう。【構成】回転軸3から放射状に広がる支持アーム2の先端に設けられた半導体基板固定部1と同じ回転円周上にスリット4を設け、スリット4を通過したイオンビームのみを測定する為のビーム測定タイミング調整部14を設ける。これにより、半導体基板外周部における金属汚染源を最小限にすることが出来、また、注入中に注入ビーム電流を常時測定することができる為、ビーム電流の増減にかかわりなく均一な注入を行なうことが出来る。
請求項（抜粋）：
複数の半導体基板を回転軸を中心とする円周上に固定し、これを回転及び並進させてイオンビームを照射し不純物イオンを注入するイオン注入装置において、半導体基板と同等かこれよりも小さい面積を有する半導体基板固定部と、前記回転軸まわりに放射状に広がり半導体基板固定部を支持する為の棒状の支持アームと、半導体基板と同じ前記円周上に位置し半導体基板に比べこの円周の外周方向にも内周方向にも十分に長いスリットを有した金属板と、この金属板を支持する為の棒状の支持アームと、前記スリットを横切る範囲でのみビーム電流を測定するビーム測定タイミング調整部とを備えることを特徴とするイオン注入装置。
IPC (2件)：
H01J 37/317
, H01L 21/265
