特許

J-GLOBAL ID：200903098126474062

X線露光用マスク及びそれを用いたX線露光装置

発明者： 野瀬 哲志 ,  前原 広
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-298954
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130645
出願日： 1993年11月04日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 X線露光ビームを用いてウエハ面上に回路パターンを高精度に転写できるX線露光用マスク及びそれを用いたX線露光装置を得ること。【構成】 X線露光ビームを用いて被露光基板に回路パターンを転写するX線露光用マスクにおいて、該X線露光用マスクはX線透過膜に回路パターンとアライメントパターンとが各々設けられており、かつ該回路パターンを設けたエリアには該アライメントパターンを照射するアライメントビームを遮光する遮光膜が設けられていること。

請求項（抜粋）：

X線露光ビームを用いて被露光基板に回路パターンを転写するX線露光用マスクにおいて、該X線露光用マスクはX線透過膜に回路パターンとアライメントパターンとが各々設けられており、かつ該回路パターンを設けたエリアには該アライメントパターンを照射するアライメントビームを遮光する遮光膜が設けられていることを特徴とするX線露光用マスク。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 503 ,  G03F 7/20 521