特許

J-GLOBAL ID：200903098129758983

半導体部品

発明者： リチャード ポール ノトレイ
出願人/特許権者： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-083325
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069423
出願日： 1993年04月09日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 パワー半導体デバイスと、これを過電圧に対して保護する保護デバイスとを具えている半導体部品におけるパワー半導体デバイスのブレークダウン電圧を高めるようにする。【構成】 半導体本体2の一導電形部分の第1領域5が、少なくとも2つの電極8及び9又は8及び10と、能動デバイス領域11とを有するパワー半導体デバイス7の能動デバイス部分6を規定する。半導体整流素子13の直列接続アレイから成る保護デバイス12を半導体本体の第1主表面3の上の絶縁層上に形成する。保護デバイスを前記2つの電極間に接続し、保護デバイス間の電圧が予定値以上となると、これをブレークダウンさせて2つの電極間を導通させる。能動デバイス部分6を第1主表面に沿って延在する少なくとも1つの電界軽減領域21を具えいる電界軽減手段20により囲む。保護デバイスを整流素子のアレイが電界軽減領域を横切って延在するように電界軽減手段に隣接して設ける。

請求項（抜粋）：

第1及び第2主表面を有する半導体本体であって、この半導体本体の第1主表面に隣接する一導電形の第1領域の部分が、少なくとも2つの電極と、各々が前記第1領域と共に第1主表面まで延在するpn接合を形成する複数の能動デバイス領域とを有しているパワー半導体デバイスの能動デバイス部分を規定する半導体本体と、前記第1主表面上の絶縁層の上に設けられる半導体整流素子の直列接続アレイから成る保護デバイスとを具え、前記保護デバイス間の電圧が予定限界値以上となると、この保護デバイスがブレークダウンして、前記2つの電極間を導通させるように前記保護デバイスをパワー半導体デバイスの少なくとも2つの電極間に接続した半導体部品において、前記能動デバイス部分を、前記第1主表面に沿って延在して前記能動デバイス部分内の電界が電界軽減手段により前記能動デバイス部分の外側に横方向へと広がって前記パワー半導体デバイスのブレークダウン電圧が高くなるようにする少なくとも1つの電界軽減領域を具えている電界軽減手段により囲み、且つ前記整流素子のアレイが前記少なくとも1つの電界軽減領域を横切って延在するように前記保護デバイスを前記電界軽減手段に隣接して設けたことを特徴とする半導体部品。