特許
J-GLOBAL ID：200903098133917662
マイクロ波プラズマエッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-031796
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234696
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的は、酸化膜のエッチングにおいて酸化膜のエッチング速度の減少を抑制し、下地シリコン膜との高い選択比が得られるマイクロ波プラズマエッチング装置を提供することである。【構成】マイクロ波プラズマエッチング装置において、プラズマを発生させる真空容器4の構成部材例えば電極カバー10に炭化珪素を用い、該炭化珪素に高周波電力を印加するようにしたものである。【効果】酸化膜のエッチング速度の減少を抑制し、下地シリコン膜との高い選択比が得られる。
請求項（抜粋）：
磁界とマイクロ波電界によって発生するプラズマで酸化膜のエッチングを行うマイクロ波プラズマエッチング装置において、プラズマを発生させる真空容器の構成材料に炭化珪素を用い、該炭化珪素に高周波電力を印加することを特徴とするマイクロ波プラズマエッチング装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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