特許

J-GLOBAL ID：200903098134430821

ポリツシングデイスク

発明者： 下田 弘 ,  曽根 正則 ,  小林 正樹
出願人/特許権者： 東芝タンガロイ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-124958
公開番号（公開出願番号）：特開平5-104447
出願日： 1991年04月26日
公開日（公表日）： 1993年04月27日
要約：

【要約】【目的】 メカノケミカルポリッシングを利用したポリッシングディスクによる除去量を増加させるとともに良好な平坦度を維持する。【構成】 ポリッシングディスク1は、3μm以下の酸化クロムを砥材として含む高濃度のレジン結合顆粒部分4および低濃度の結合相部分5が一体的に焼成されることにより構成される。 高濃度のレジン結合顆粒部分4は、全体の30〜80容量を%占めるものであり、前記酸化クロムを70〜97容量%含有する。残りの低濃度の結合相部分5は、酸化クロムを10〜50容量%含有する。また、前記高濃度のレジン結合顆粒部分の砥材は、その含有量の一部10〜70容量%を他の砥材で置換できるものである。置換成分は、3μm以下のダイヤモンド、SiC、CeO2、Fe2O3、CBNの1種または2種以上である。

請求項（抜粋）：

3μm以下の酸化クロム(Cr2O3)を砥材として含む高濃度のレジン結合顆粒部分および低濃度の結合相部分が一体的に焼成されたポリッシングディスクであって、高濃度のレジン結合顆粒部分は、全体の30〜80容量%を占めるとともに、前記酸化クロムを70〜97容量%含有しており、残りの低濃度の結合相部分は、前記酸化クロムを10〜50容量%含有していることを特徴とするポリッシングディスク。

IPC (3件)：

B24D 7/00 ,  B24D 3/00 320 ,  B24D 3/28