特許

J-GLOBAL ID：200903098137089888

パターン形成方法

発明者： 遠藤 政孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-279299
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093682
出願日： 2000年09月14日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 レジスト膜の露光部に形成されるシリル化層の厚さを厚くして、レジストパターンの形状を良好にする。【解決手段】ポジ型の化学増幅型レジストからなるレジスト膜11にフォトマスクを介してエネルギービームを照射してパターン露光を行なった後、レジスト膜11を加熱する。次に、レジスト膜11に対してアルカリ性現像液による現像を行なって、レジスト膜11の露光部11aに薄膜部11cを形成した後、レジスト膜11にシリル化処理14を行なって、レジスト膜11の薄膜部11cにシリル化層15を形成する。レジスト膜11に対してシリル化層15をマスクとしてドライエッチングを行なって、レジスト膜11の薄膜部11cからなるレジストパターン11Aを形成する。

請求項（抜粋）：

ポジ型の化学増幅型レジストからなるレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に所望のパターン形状を持つマスクを介してエネルギービームを照射してパターン露光を行なった後、前記レジスト膜を加熱する工程と、前記レジスト膜に対してアルカリ性現像液による現像を行なって、前記レジスト膜の露光部に薄膜部を形成する工程と、前記レジスト膜にシリル化処理を行なって、前記レジスト膜の薄膜部にシリル化層を形成する工程と、前記レジスト膜に対して前記シリル化層をマスクとしてドライエッチングを行なって、前記レジスト膜の薄膜部からなるレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (9件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/36 ,  G03F 7/38 512 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/3065

FI (9件)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 Z ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/36 ,  G03F 7/38 512 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/30 568 ,  H01L 21/302 H

Fターム (43件)：

2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE01 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA40 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA20 ,  2H025FA28 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096CA05 ,  2H096EA04 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096FA01 ,  2H096FA04 ,  2H096FA05 ,  2H096FA10 ,  2H096GA08 ,  2H096GA37 ,  2H096HA23 ,  2H096HA30 ,  2H096JA03 ,  2H096JA04 ,  5F004DB26 ,  5F004EA04 ,  5F046LA17 ,  5F046LA18 ,  5F046LB01