特許

J-GLOBAL ID：200903098142292020

ダイボンド型発光ダイオード及びその製造方法

発明者： 倉田 一宏 ,  甲田 満 ,  富田 祐志
出願人/特許権者： 日新製鋼株式会社
代理人 (1件)： 小橋 信淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-171615
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343744
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 p-n接合の一部を逆方向バイアス電圧で降伏破壊し、それぞれのオーミック電極がチップ片面の同一平面上に形成された発光ダイオードを得る。【構成】 Siをドープした液相エピタキシーによってp-n接合4を境としたn型エピタキシャル成長層2及びp型エピタキシャル成長層3を基板結晶1の表面に設ける。p型エピタキシャル成長層3の表面にオーミック電極11,12となる金属層を設けた後、p-n接合4を分断するエッチング溝10を形成し、逆方向のバイアス電圧を印加しp-n接合の一部を降伏破壊させ非整流性の導電路として働くp-n接合痕跡4aに変換する。【効果】 オーミック電極11,12となる金属層が同一の材質でp型エピタキシャル成長層3上に同時に形成されるため、電極形成工程は勿論、オーミック電極11,12とエピタキシャル成長層3との接触抵抗を下げる熱処理も簡単になる。しかも、オーミック電極11,12が同一平面上にあるため、リード板7a,7bに対し容易に且つ確実にダイボンディングされる。

請求項（抜粋）：

結晶基板と、該結晶基板の上に設けられ、Siのドープにより形成されたp-n接合を含むエピタキシャル成長層と、前記p-n接合を複数に分割するエッチング溝と、分割された前記p-n接合の一部が逆方向通電により降伏破壊された非整流性の導電路と、前記p-n接合の降伏破壊されていない部分及び前記非整流性の導電路の上にある前記エピタキシャル成長層それぞれに設けられたオーミック電極とを備え、前記p-n接合の降伏破壊されていない部分が発光領域となることを特徴とするダイボンド型発光ダイオード。