特許
J-GLOBAL ID：200903098143132400

増幅型固体撮像装置

発明者：
友田 尚紀

友田 尚紀 について

, 
桝山 雅之

桝山 雅之 について

, 
佐野 義和

佐野 義和 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-046251
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237404
出願日： 2000年02月23日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 撮像領域の周辺部における集光率の低下に起因したシェーディングの発生が抑制された増幅型固体撮像装置を提供する。【解決手段】 半導体基板1と、半導体基板1内に形成された複数の受光部2と、半導体基板1の上方に形成されて互いに積層された複数の遮光層4と、遮光層4同士の間に形成された層間絶縁膜3とを含み、遮光層4が、受光部2の各々に対応させて形成された複数の開口部を有する増幅型固体撮像装置において、複数の遮光層4のうち少なくとも半導体基板1から最も離れた最上層の遮光層において、前記開口部の中心と、これに対応する受光部2の中心とのずれが、撮像領域の中心部から周辺部に向かうに従って大きくなるように、前記開口部を形成した。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板内に形成された複数の受光部と、前記半導体基板の上方に形成され、互いに積層された複数の遮光層と、前記遮光層同士の間に形成された層間絶縁膜とを含み、前記遮光層が、前記受光部の各々に対応させて形成された複数の開口部を有する増幅型固体撮像装置であって、前記複数の遮光層のうち少なくとも前記半導体基板から最も離れた最上層の遮光層において、前記開口部の中心と、これに対応する受光部の中心とのずれが、撮像領域の中心部から周辺部に向かうに従って大きくなるように、前記開口部が形成されていることを特徴とする増幅型固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 27/14 ,  H04N 5/335
FI (3件)：
H04N 5/335 U ,  H04N 5/335 V ,  H01L 27/14 D
Fターム (20件)：
4M118AA06 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118BA30 ,  4M118CA01 ,  4M118CA03 ,  4M118CA17 ,  4M118FA06 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  4M118GB17 ,  4M118GB20 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX35 ,  5C024EX43 ,  5C024GY01 ,  5C024GY41 ,  5C024GZ34
引用特許：
審査官引用 (4件)
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