特許
J-GLOBAL ID：200903098143543345
荷電ビーム露光方法及び露光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-278603
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090144
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 繰り返しパターンを多数含むLSIの描画速度を向上させることができ、製造コストの低減等に寄与し得る荷電ビーム露光方法を提供すること。【構成】 露光すべきパターンに繰り返し現われる基本図形群と同一形状のアパーチャをビーム成形用のアパーチャマスク15に複数種形成し、該アパーチャの選択による成形ビームをショットして組み合わせることにより、試料面上にパターンを露光する荷電ビーム露光方法において、アパーチャマスク15に形成する複数種のアパーチャを該マスク15上の異なる領域にグループ分けし、アパーチャの選択に主偏向器141 と副偏向器142 からなる二重偏向器14を使用すると共に、大偏向可能であるがビームセットリング時間の長い主偏向器141 でグループを選択し、且つ小偏向であるがビームセットリング時間の短い副偏向器142 でグループ内のアパーチャを選択することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
露光すべきパターンに繰り返し現われる基本図形若しくは基本図形群と同一形状のアパーチャをビーム成形用のアパーチャマスクに複数種形成し、該アパーチャの選択による成形ビームをショットして組み合わせることにより、試料面上にパターンを露光する荷電ビーム露光方法において、前記アパーチャマスクに形成する複数種のアパーチャを該アパーチャマスク上の異なる領域にグループ分けし、前記アパーチャの選択に主偏向器と副偏向器からなる二重偏向器を使用すると共に、主偏向器でグループを選択し、且つ副偏向器でグループ内のアパーチャを選択することを特徴とする荷電ビーム露光方法。
FI (3件)：
H01L 21/30 341 S
, H01L 21/30 341 B
, H01L 21/30 341 J
