特許

J-GLOBAL ID：200903098143802219

温度計測方法及び装置、半導体熱処理装置

発明者： 鈴木 智博
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-062600
公開番号（公開出願番号）：特開2006-170616
出願日： 2001年03月06日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：

【課題】本発明は、複雑なハード構成を必要とせず、非接触により高精度で温度を計測できる温度計測方法及装置及びそのような温度計測方法を用いた半導体熱処理装置を提供することを課題とする。【解決手段】半導体ウェハ3の温度を非接触で計測するため、半導体ウェハ3からの放射光を測定し、放射光の測定結果に基づいて実効放射率を未知変数として推定しながら半導体ウェハ3の温度を演算する。実行放射率の推定及び温度の演算は、拡張カルマンフィルタを用いて行う。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

被計測物の温度を非接触で計測する温度計測方法であって、 被計測物からの放射光を測定し、 前記放射光の測定結果に基づいて実効放射率を未知変数として推定しながら被計測物の温度を演算する ことを特徴とする温度計測方法。

IPC (3件)：

G01J 5/00 ,  G01J 5/02 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01J5/00 D ,  G01J5/02 K ,  H01L21/66 T

Fターム (16件)：

2G066AA01 ,  2G066AB01 ,  2G066AC01 ,  2G066AC11 ,  2G066BA08 ,  2G066BA18 ,  2G066BA38 ,  2G066BC30 ,  2G066CB01 ,  4M106AA01 ,  4M106CA60 ,  4M106DH02 ,  4M106DH12 ,  4M106DH14 ,  4M106DH44 ,  4M106DJ12