特許
J-GLOBAL ID：200903098144792810
集積化光電変換装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-179918
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007359
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 少ない工程数、低コストで精度よく製造され得るとともに、高性能である、結晶質シリコンを光電変換層に用いた集積化光電変換装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 基板、第1の電極層、および結晶質半導体層を含む薄膜光電変換ユニット、および第2の電極層とを具備する積層構造からなり、この積層構造は、第1の分離溝内に形成された絶縁膜により複数のセルに分離され、それぞれのセルは、第2の分離溝により素子部と第1の電極取り出し部とに分離され、この第1の電極取り出し部に形成された第1の電極に達する接続孔内から絶縁膜上を通って隣接するセルの素子部の第2の電極層にかけてスクリーン印刷により形成された導電性膜からなる素子間接続電極により、複数のセルが直列に接続され、集積化されてなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に形成された第1の電極層と、この第1の電極層上に形成された結晶質半導体層を含む薄膜光電変換ユニットと、この薄膜光電変換ユニット上に形成された第2の電極層とを具備する積層構造からなり、この積層構造は、前記第2の電極層から前記基板に達する第1の分離溝内に形成された絶縁膜により複数のセルに分離され、それぞれのセルは、前記第2の電極層および薄膜光電変換ユニットの一部に設けられた第2の分離溝により素子部と第1の電極取り出し部とに分離され、この第1の電極取り出し部に形成された前記第1の電極に達する接続孔内から前記絶縁膜上を通って隣接するセルの素子部の第2の電極層にかけて形成された導電性膜からなり、前記第1の電極と隣接するセルの第2の電極とを電気的に接続する素子間接続電極により、複数のセルが直列に接続され、集積化されてなることを特徴とする集積化光電変換装置。
Fターム (15件)：
5F051AA03
, 5F051AA05
, 5F051CA03
, 5F051CA15
, 5F051CB27
, 5F051DA04
, 5F051EA02
, 5F051EA09
, 5F051EA10
, 5F051EA11
, 5F051EA15
, 5F051EA16
, 5F051FA02
, 5F051FA16
, 5F051GA03
