特許

J-GLOBAL ID：200903098151667185

半導体装置

発明者： 伊藤 達志 ,  田畑 晴夫
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-053413
公開番号（公開出願番号）：特開平8-239453
出願日： 1985年10月28日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【課題】耐湿性ひいては耐腐食性に優れるとともに、プラスチックパッケージ自体が機械的特性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】下記の(A)〜(C)成分を含有しているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)エポキシ樹脂。(B)分子内にエポキシ基を有するとともに、メトキシ基およびエトキシ基の少なくとも一方を有する分子量220〜278のシラン化合物とフェノール樹脂との反応生成物。(C)無機質充填剤。

請求項（抜粋）：

下記の(A)〜(C)成分を含有しているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)エポキシ樹脂。(B)分子内にエポキシ基を有するとともに、メトキシ基およびエトキシ基の少なくとも一方を有する分子量220〜278のシラン化合物とフェノール樹脂との反応生成物。(C)無機質充填剤。

IPC (3件)：

C08G 59/62 NJS ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2件)：

C08G 59/62 NJS ,  H01L 23/30 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-172541
  
• 特開昭59-008715
  
• 特開昭57-155753
  
• 特開昭62-101055