フォトマスク、そのパターン欠陥検出方法及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-224037
公開番号（公開出願番号）：特開2004-062095
出願日： 2002年07月31日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】パターン欠陥検査時の擬似欠陥の発生を防止して高い信頼性の検査を行うことができるフォトマスク、そのパターン欠陥検出方法及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】「F」の字型のパターン1が密集するパターン密集領域21と、小さな矩形状のダミーパターン2が点在するパターン点在領域22とが存在している。ダミーパターン2は、パターン点在領域22内では、マスクパターン欠陥検査装置の走査対象範囲内に少なくとも1個が存在するようにして配置されている。上述のような間隔で、パターン点在領域22にダミーパターン2が形成されていると、マスクパターン欠陥検査装置によって1走査対象範囲の走査が行われれば、パターン点在領域22内では、その走査対象範囲内には、少なくとも1個のダミーパターン2が含まれている。このため、この範囲内でのアライメントの混乱の発生が防止され、適切な欠陥検査を行うことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

感光体に転写されるべき主パターンが形成されたフォトマスクにおいて、全ての前記主パターンをその内側に含む矩形領域の内側に、1又は2以上の副パターンが形成され、前記副パターンは、少なくとも前記矩形領域内において、前記フォトマスクのパターンの検査に使用するマスクパターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記主パターン及び前記副パターンからなる群から選択された少なくとも1種のパターンの一部が含まれるようにして配置されていることを特徴とするフォトマスク。

IPC (2件)：

G03F1/08 , H01L21/027

FI (4件)：

G03F1/08 M , G03F1/08 D , G03F1/08 S , H01L21/30 502P

Fターム (6件)：

2H095BB02 , 2H095BB36 , 2H095BD04 , 2H095BD29 , 2H095BE04 , 2H095BE08

引用特許：

出願人引用 (6件)

基板の自動検査システムと方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-288231 出願人：ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション
特開平3-018851
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-062630 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (8件)

基板の自動検査システムと方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-288231 出願人：ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション
特開平3-018851
特開平3-018851

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