強磁性体不揮発性記憶素子およびその情報再生方法ならびにそれを用いたメモリチップおよび携帯型情報処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-361157
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170374
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】セル面積を小さくすることができるとともに、磁気抵抗変化率が小さくとも、高速、かつ、正確に記憶情報を検出することができる、高度に集積可能な強磁性体不揮発性記憶素子を提供する。【解決手段】1ビットのメモリを構成する単位セルが、互いの磁化の向きが反対向きとなるように磁化される2個の磁気抵抗素子R22a、R22bと、これら磁気抵抗素子を選択するための1つの半導体スイッチ素子T22とから構成されている。半導体スイッチ素子は、ドレイン端子が磁気抵抗素子R22a、R22bの一方の端子に共通に接続され、ソース端子が接地され、ゲート端子がワード線WL2に接続されている。磁気抵抗素子R22a、R22bの他方の端子はそれぞれビット線BL1a、BL1bに接続されている。

請求項（抜粋）：

1ビットのメモリを構成する単位セルが、互いの磁化の向きが反対向きとなるように磁化される第1および第2の磁気抵抗素子と、これら第1および第2の磁気抵抗素子を選択するための1つの半導体スイッチ素子とから構成されていることを特徴とする強磁性体不揮発性記憶素子。

IPC (4件)：

G11C 11/15 , G11C 11/14 , H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (5件)：

G11C 11/15 , G11C 11/14 A , H01L 43/08 A , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Fターム (9件)：

5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083JA39 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083NA08

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