特許
J-GLOBAL ID：200903098161756062
太陽電池素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-105874
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293889
出願日： 1996年04月25日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】【課題】 裏面電極の強度の小さくて微小な亀裂が発生したり、水素によるパシベーション効果が低減して変換効率の低下するという問題があった。【解決手段】 半導体基板内にP-N接合部を形成して、この半導体基板の表裏両面に電極を設けてなる太陽電池素子において、前記裏面電極をバスバー電極部と、このバスバー電極部に交差して多数本形成されたフィンガー電極部と、このフィンガー電極部から矢形に広がるように多数形成された枝電極部とで構成するとともに、この裏面電極の占有面積を前記半導体基板裏面の60%以上とし、且つ前記枝電極部間の間隔を0.1〜0.9mmに設定した。
請求項（抜粋）：
半導体基板内にP-N接合部を形成して、この半導体基板の表裏両面に電極を設けてなる太陽電池素子において、前記裏面電極をバスバー電極部と、このバスバー電極部に交差して多数本形成されたフィンガー電極部と、このフィンガー電極部から矢形に広がるように多数形成された枝電極部とで構成するとともに、この裏面電極の占有面積を前記半導体基板裏面の60%以上とし、且つ前記枝電極部間の間隔を0.1〜0.9mmに設定したことを特徴とする太陽電池素子。
引用特許：
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