特許
J-GLOBAL ID：200903098166968440
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-223842
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077480
出願日： 1992年08月24日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】微細化してもしきい値電圧が低下しない、微細なデバイス、及び、形状を利用してトランジスタのしきい値電圧を調節できるデバイスを提供する。【構成】溝型ゲート構造15を持つトランジスタの溝の角の形状が曲率半径r±L/5(Lはチャネル長)を持つ同心円中に含まれ、かつ、曲率半径r17(形状パラメータ)と不純物濃度が図1(b)のような関係を有する。または、溝型ゲートトランジスタの基板表面に平行でゲートの底部に接した直線と、チャネルの形成される部分におけるソース11及びドレイン12端から基板底面への垂線と、溝の角の部分に接する直線が形成する直角三角形の、直角を挾んだ二辺の和の平均(a+b)/2(形状パラメータ)と不純物濃度の関係が、図1(b)のような関係を有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板中にゲート電極を挾んでソース及びドレイン拡散層を有した溝型ゲートトランジスタにおいて、その溝の角の形状が曲率半径r±L/5(Lはチャネル長)を持つ同心円中に含まれ、かつ、曲率半径r(形状パラメータ)と不純物濃度が、図1(b)のような関係を有することを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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