特許

J-GLOBAL ID：200903098168136922

連続フッ素および水素プラズマによるコンタクト洗浄

発明者： バーニー エム. コーヘン ,  ジンガン スー ,  ケニー キン-タイ ヌギャン ,  ジェイアール-ジアン チェン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-267597
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144028
出願日： 2000年09月04日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 金属プラグと半導体領域間の電気的接触を良好にするには、通常、接触区域に耐熱金属層を堆積し、次にワークピ-スをアニールして半導体材料および耐熱金属の原子が相互に拡散し、半導体がシリコンである場合耐熱金属のケイ化物等の化合物を形成する必要がある。【解決手段】 本発明の一つの態様は耐熱金属を基板10上の半導体領域12の接触区域17に堆積する方法である。接触区域17を、まず、基板10をフッ素含有種を含むプラズマに露出して接触区域17を洗浄し、次に、基板10を好ましくは水素含有ガスのプラズマ分解によって生成されたフッ素を捕捉する第2大気に露出する、2ステッププロセスによって洗浄する。次に、耐熱金属を接触区域17に堆積する。2ステップ洗浄プロセスは耐熱金属と半導体領域12間の電気抵抗を低減し得る。さらに、基板10をアニールして半導体材料および耐熱金属の原子を相互に拡散すると、2ステップ洗浄プロセスは所望の低い電気抵抗を実現するに必要なアニール温度を低減し得る。

請求項（抜粋）：

半導体ワークピ-ス上の金属あるいは半導体領域の接触区域の洗浄方法であって、前記方法は:露出接触区域を有する金属あるいは半導体材料の少なくとも1つの領域を含む半導体ワークピ-スを供給するステップと;ワークピ-スをフッ素含有ガスを含む第1ガス混合物のプラズマ分解によって生成される第1大気に露出するステップと;ワークピ-スを第1大気に露出するステップに続いて、ワークピ-スをフッ素を捕捉する第2大気に露出するステップと、を備える、接触区域の洗浄方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/28 A ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/90 C