特許

J-GLOBAL ID：200903098170264814

SiCへの電極の形成方法

発明者： 木村 親夫
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
代理人 (1件)： 櫻井 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-295576
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139053
出願日： 1994年11月04日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】〔目的〕電気特性が良好なシリコンカーバイド(SiC)への電極の形成方法を提供する。〔構成〕高融点金属の砒化物、燐化物又は硼化物から成る金属間化合物の電極層(M) をSiC結晶の基板(10)の表面に堆積させる堆積工程(A〜D)と、この電極層(M) が堆積されたSiC結晶の基板を加熱して電極(14)を作成する加熱工程とを含む。

請求項（抜粋）：

高融点金属の砒化物、燐化物又は硼化物から成る電極層をSiC結晶の基板の表面に堆積する電極堆積工程と、この電極層が堆積されたSiC結晶の基板を加熱する加熱工程とを含むことを特徴とするSiCへの電極の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭36-018286
  
• 特公昭46-011607