特許

J-GLOBAL ID：200903098182530005

高周波半導体装置および高周波通信機器

発明者： 横山 隆弘 ,  石橋 明彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-049929
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246471
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 従来Siと化合物半導体との集積化し、小型化した高周波半導体装置を提供する。【解決手段】 Si基板1上に部分的にSiC部5を形成し、さらにこのSiC5上に部分的にGaN28を成長させる。高周波半導体素子をSi1またはGaN28上に実現すると同時に、これらで使用される受動素子をSiC5上またはGaN28上に実現することにより、異種半導体間の集積化を可能にする。

請求項（抜粋）：

高周波半導体装置に於いて、基板を形成する第1半導体であるシリコン(Si)上に第2半導体であるSiCを有し、該SiC上にさらに第3半導体であるGaNを有する構成であり、前記GaNは前記SiC上に部分的に成長されたものであり、また前記SiCは前記Si上に部分的に形成されたものであり、高周波能動素子が前記SiまたはSiCまたはGaN上に実現された構成であることを特徴とする高周波半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H04B 1/40

FI (3件)：

H01L 27/04 L ,  H04B 1/40 ,  H01L 27/04 C