特許
J-GLOBAL ID：200903098182724926
処理液による半導体処理方法及び半導体処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-287755
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148456
出願日： 1994年11月22日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 処理液を循環させて半導体ウェーハを処理する場合も、金属汚染の問題をもたらさない、処理液による半導体処理方法及び半導体処理装置を提供する。【構成】 ?@半導体ウェーハを、処理液(洗浄処理液等)を循環させて洗浄等の処理を行う際、処理液を金属とキレート化合物を形成する官能基を有する材料を通して循環させて用いる。?A処理液3の循環系に設けたフィルター9の処理液透過膜10として金属とキレート化合物を形成する官能基を有する材料部分をもつ膜を有する構成とする。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハを、処理液を循環させて処理する処理液による半導体ウェーハ処理方法において、処理液を、金属とキレート化合物を形成する官能基を有する材料を通して循環させて用いることを特徴とする処理液による半導体処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, B08B 3/14
, C11D 7/22
