特許
J-GLOBAL ID：200903098183330280
基板処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-228647
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053489
出願日： 2006年08月25日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：
【課題】ウエハの温度をヒータの出力に見合うように上昇させる。 【解決手段】下側容器12と上側容器13とで処理室14を形成した処理容器11と、処理室14内に設置されてウエハ1を保持するサセプタ21と、サセプタ21上のウエハ1を加熱するヒータ41と、反応ガスをウエハ1に向けて供給するシャワーヘッド26と、反応ガスを励起させる筒状電極15と、磁界を形成する筒状磁石19とを備えているMMT装置において、上側容器13の外側に反射板42をシャワーヘッド26のキャップ状の蓋体27と同心円状に設置するとともに、シャワーヘッド26の遮蔽プレート31の下面に反射鏡面を形成する。ヒータおよびウエハから入射して来る赤外線や遠赤外線等の熱線をサセプタ上のウエハに向けて反射させることができるので、ヒータの発熱を全て活用して、ウエハの温度をヒータの出力に見合うように上昇させることができる。 【選択図】図1
請求項（抜粋）：
熱を透過する処理容器と、
前記処理容器内に設けた基板を載置するサセプタと、
前記サセプタに設けられ、基板を加熱するヒータと、
前記処理容器の外部に設けられ、前記ヒータの熱を前記基板へ反射する反射板と、を備える基板処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/31 C
, H01L21/302 101B
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA04
, 4K030KA09
, 4K030KA23
, 5F004BA08
, 5F004BC08
, 5F045AA08
, 5F045DP03
, 5F045EB02
, 5F045EH12
, 5F045EH16
, 5F045EK01
, 5F045EK07
