特許

J-GLOBAL ID：200903098185703482

洗浄処理方法および洗浄処理装置

発明者： 松嶋 大輔 ,  黒川 禎明
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-152270
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340876
出願日： 1997年06月10日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハ表面が露出せず、Siの表面へのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの処理方法およびその洗浄処理装置を提供すること。【解決手段】 基板2の表面に付着した金属微粒子を除去するための洗浄処理方法において、フッ酸およびオゾン水を混合させて上記基板2の表面に噴射手段8を用いて噴射し、この基板2の表面を洗浄することを特徴とする洗浄処理方法である。

請求項（抜粋）：

基板の表面に付着した金属微粒子を除去するための洗浄処理方法において、フッ酸およびオゾン水を混合させて上記基板の表面に噴射し、この基板の表面を洗浄することを特徴とする洗浄処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 351 ,  B08B 3/02

FI (3件)：

H01L 21/304 341 N ,  H01L 21/304 351 S ,  B08B 3/02 B