特許

J-GLOBAL ID：200903098187851853

試料の処理方法及びその装置

発明者： 水越 克郎 ,  本郷 幹雄 ,  宮内 建興
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-132945
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330209
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】大口径ウエハ対応の半導体処理装置において,装置の占有面積および製造価格削減に好適なステージおよびそれを用いた半導体処理装置を提供する。【解決手段】ウエハ100を搭載し,高精度に移動するXステージ11およびYステージ12のストローク中心と,θステージ13の回転軸と,処理部15の少なくとも何れか一つが異なるステージを備え,ウエハ100に座標軸を設定し,該座標軸で分割された第1〜第4象現の何れかにチップ101を位置させて処理を行う。

請求項（抜粋）：

処理室内でテーブル上に載置した試料を移動させながら前記試料の小領域ごとに順次処理を施す処理方法であって、前記試料を移動させながら前記試料の小領域に処理を施し、該小領域を処理した後に前記試料を回転させ、前記試料の異なる小領域に前記試料を移動させながら処理を施すことを順次繰り返して行うことにより、前記試料の外形寸法よりも短い移動距離で前記試料のほぼ全面を処理することを特徴とする試料の処理方法。

IPC (8件)：

H01L 21/68 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/48 ,  C23C 26/00 ,  G03F 7/20 521 ,  H01J 37/30 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/027

FI (8件)：

H01L 21/68 K ,  C23C 16/44 F ,  C23C 16/48 ,  C23C 26/00 E ,  G03F 7/20 521 ,  H01J 37/30 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/30 516 B