特許

J-GLOBAL ID：200903098189648796

電子デバイス、MOMキャパシタ、MOSトランジスタ、拡散バリア層

発明者： セウンムー チョイ ,  セイレッシュ マンシン マーチャント ,  パラジ クマー ロイ
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-004077
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208720
出願日： 2000年01月12日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】酸素の拡散を阻止する拡散バリア層を提供すること。【解決手段】 本発明の電子デバイスは、窒化チタン層110と、高誘電率材料(Ta2O5)層105と、前記窒化チタン層110と高誘電率材料層105との間に配置された拡散バリア層100とからなり、前記拡散バリア層100が、酸素が前記高誘電率材料層105から前記窒化チタン層110に拡散するのを阻止する。

請求項（抜粋）：

窒化チタン層(110)と、高誘電率材料層(105)と、前記窒化チタン層(110)と高誘電率材料層(105)との間に配置された拡散バリア層(100)と、からなり、前記拡散バリア層(100)は、酸素が前記高誘電率材料層(105)から前記窒化チタン層(110)に拡散するのを阻止することを特徴とする電子デバイス。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 301 G