特許

J-GLOBAL ID：200903098190072130

電界効果トランジスタ

発明者： 後藤 直道
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-301057
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151844
出願日： 1992年11月11日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】MOS型電界効果トランジスタのゲート閾値電圧を補償回路を挿入することで、その温度係数を低減し、低い閾値電圧をもつトランジスタの動作温度範囲を広げる。【構成】主MOSFETとゲートと外部ゲート端子の間にツェナーダイオードで順バイアスされた2直列ダイオードと抵抗を並列に配置する個別半導体素子としての電界効果トランジスタ。

請求項（抜粋）：

ツェナーダイオードの電圧により順バイアスされ直列接続されたダイオードと前記ダイオードに並列接続された抵抗とからなるゲート閾値電圧補償用回路をゲート端子と外部ゲート端子との間に接続する電界効果トランジスタ。