特許
J-GLOBAL ID：200903098194516822
半導体多層配線用層間絶縁膜樹脂組成物及び該絶縁膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-125498
公開番号（公開出願番号）：特開平10-316853
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月02日
要約：
【要約】【課題】 耐熱性とともに低誘電率で電気特性に優れた半導体層間絶縁膜用樹脂組成物を提供する。【解決手段】一般式(1)で表される構成単位を含む含フッ素ポリベンゾオキサゾールからなることを特徴とする半導体多層配線用層間絶縁膜樹脂組成物であり、また、一般式(4)で表される構成単位を含む含フッ素ポリヒドロキシアミドを塗工し、加熱閉環して、前記の構造とすることを特徴とする半導体多層配線用層間絶縁膜の製造方法。【化1】【化4】
請求項（抜粋）：
一般式(1)で表される構成単位を含む含フッ素ポリベンゾオキサゾールからなることを特徴とする半導体多層配線用層間絶縁膜樹脂組成物。【化1】(一般式(1)中、Xは一般式(2)(ここでZはなくてもよいし、またはO、S、SO2、CO、CH2、C(CH3)2、 C(CF3)2である。)を示し、Yは群(3)から選ばれた1種以上の基を示す。また、mは1〜4の整数である。)【化2】(ただし、ベンゼン環からN及びOへの結合はo-位)【化3】
IPC (2件)：
FI (2件)：
C08L 79/04 B
, C08G 73/22
