特許

J-GLOBAL ID：200903098194770370

半導体集積回路

発明者： 山根 正雄 ,  黒川 敦 ,  野島 元
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-344235
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160614
出願日： 1999年12月03日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】 出力用トランジスタとしてヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを用いたRFモジュールのような半導体集積回路において、出力端子に高電圧が印加されたりインピーダンスが急に変化したとしても出力用トランジスタのエミッタ・コレクタ間の接合が破壊されるのを防止できるようにする。【解決手段】 エミッタ端子またはコレクタ端子が出力端子に接続されたヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)からなる出力用トランジスタ(Q1〜Qn)と並列に保護用トランジスタ(Qp)を接続しておくようにした。

請求項（抜粋）：

コレクタ端子またはエミッタ端子が出力端子に接続されたヘテロ接合バイポーラ・トランジスタからなる出力用トランジスタを備えた半導体集積回路において、上記出力用トランジスタと並列に保護用トランジスタが接続されていることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (7件)：

H01L 27/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H03F 1/52

FI (5件)：

H01L 29/205 ,  H03F 1/52 Z ,  H01L 27/06 101 P ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/72

Fターム (47件)：

5F003AP01 ,  5F003BB04 ,  5F003BE04 ,  5F003BF06 ,  5F003BJ12 ,  5F003BJ20 ,  5F003BJ90 ,  5F003BJ99 ,  5F003BM02 ,  5F003BP31 ,  5F038AR08 ,  5F038AZ10 ,  5F038BE09 ,  5F038BH06 ,  5F038BH15 ,  5F038CA02 ,  5F038CA10 ,  5F038DF01 ,  5F038DF03 ,  5F038DF04 ,  5F038DF14 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F082AA33 ,  5F082BA35 ,  5F082BC18 ,  5F082CA02 ,  5F082EA22 ,  5F082FA13 ,  5F082FA16 ,  5F082GA04 ,  5J091AA01 ,  5J091AA21 ,  5J091AA41 ,  5J091CA57 ,  5J091FA11 ,  5J091FP06 ,  5J091GP03 ,  5J091HA06 ,  5J091HA25 ,  5J091HA29 ,  5J091KA20 ,  5J091MA19 ,  5J091QA03 ,  5J091SA14 ,  5J091TA01 ,  5J091UW08