特許
J-GLOBAL ID：200903098194828395
ナノグラニュラー磁性薄膜用基板、その製造方法及びナノグラニュラー磁性薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-260325
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102420
出願日： 1995年10月06日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 従来の方法では、磁性層を非磁性相中に微細に、しかも均一に分散させることができず、膜厚を十分に薄くすることができないため、GMR効果を十分に向上させることができなかった。【解決手段】 (111)ファセット構造と欠陥領域とを有するSi(111)ウエハからなるナノグラニュラー磁性薄膜用基板。
請求項（抜粋）：
(111)ファセット構造と欠陥領域とを有するSi(111)ウエハからなるナノグラニュラー磁性薄膜用基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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