特許

J-GLOBAL ID：200903098195882938

半導体記憶装置

発明者： 有田 豊
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-306928
公開番号（公開出願番号）：特開平5-120881
出願日： 1991年10月24日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 分割ワード線方式のSRAMを持つ半導体記憶装置において、貫通電流が少なく、かつ、動作マージンが大きく集積度の高い半導体記憶装置を得る。【構成】 ローカルデコーダ回路を3つのN型MOSトランジスタでローカルワード線出力を持ち上げるブースト回路を構成する。

請求項（抜粋）：

分割ワード線方式により複数のローカルデコーダ回路に分割されたアドレスデコーダ回路を備えた半導体記憶装置において、前記ローカルデコーダ回路は、そのゲート電極に/メインワード線を接続したドライバトランジスタである第1のN型MOSトランジスタと、そのドレイン電極にブロック選択信号を接続し、前記第1のN型MOSトランジスタのドレイン電極とそのソース電極を接続してインバータ回路を構成した、負荷素子である第2のN型MOSトランジスタと、そのゲート電極にVCCを、ドレイン電極にメインワード線を、ソース電極に前記第2のMOSトランジスタのゲート電極をそれぞれ接続した第3のN型MOSトランジスタとを備えていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/413 ,  G11C 11/41

FI (2件)：

G11C 11/34 302 A ,  G11C 11/34 301 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-125525
  
• 特開昭64-060893
  
• 特開昭59-075488