特許

J-GLOBAL ID：200903098197575196

窒化ガリウム系p型化合物半導体層の活性化法

発明者： 土方 俊樹 ,  矢野 盛規
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-112430
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306854
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系p型化合物半導体層の低抵抗化を図る。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体装置に含まれるp型層(6,7)を活性化する方法は、紫外線から可視光までの範囲内に含まれる波長を含む光を200〜500°Cの範囲内の温度の下でp型層(6,7)に照射し、これによってp型層(6,7)に含まれるp型ドーパントに結合した水素を分離除去して、p型ドーパントのアクセプタとしての活性化を促進することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系化合物半導体装置に含まれるp型層を活性化する方法であって、紫外線から可視光までの範囲内に含まれる波長を含む光を200〜500°Cの範囲内の温度の下で前記p型層に照射し、それによって、前記p型層に含まれるp型ドーパントに結合した水素を分離除去して前記p型ドーパントのアクセプタとしての活性化を促進させることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/26 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/26 E ,  H01L 33/00 C

Fターム (9件)：

5F041AA21 ,  5F041AA31 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77